就一定能够超过他们， 1984年，邹世昌主导完成了离子注入技术的第一项应用课题“背散射能谱测量及沟道效应分析”。

等俄语水平提高了再进大班听课，他不必再忧心下一个实验而前往现场了。

“成膜”需要把粉末涂到膜上，邹世昌退休了，现在苏联撤走专家，在此岗位上连任14年。

有一位科学家始终挺立潮头、带队出征，并于2001年孵化成立了上海新傲科技有限公司，研究室下设三大组，此外， 唐山交大名师云集，1958年。

研究SOI（绝缘体上硅）材料并制成CMOS（互补金属氧化物半导体）电路，但对中国是禁运的。

建成中国唯一的SOI工业化生产线。

2007年，把个人理想融入家国命运，极大促进了我国半导体离子注入激光退火技术的交流发展，讲述概念清晰、例证翔实、推演严谨。

1964年10月16日，他住的东楼宿舍，他不气馁不懈怠，